碳化硅 (SIC) 二極管 (101) 小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管 (158) 齊納二極管 (692) 數(shù)字晶體管(BRT) MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器 JFETs MOSFETs 達(dá)林頓晶體管 通用晶體管 和 低V CE(Sat) 晶體管 保護(hù) MOSFETs RF Transistors 存儲(chǔ)器 EEPROM存儲(chǔ)器 閃存存儲(chǔ)器 SRAM存儲(chǔ)器,型號(hào) OEM 加工定制 是 貨號(hào) OEM-HBD23 特性 坩堝 功能 陶瓷 微觀結(jié)構(gòu) 多晶 規(guī)格尺寸 可定制（mm） 品牌 HBD 是否跨境貨源 否 特征 耐磨耐高溫

2018-1-3?·?在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 碳化硅（SiC）俗稱金剛砂,為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。,2011-1-24?·?蕈十一 士 他t－阜 I、t毫－件和走電－件攀術(shù) 戧 廣I蠢膏2∞6年11月 碳化硅單晶體的切片、研磨和拋光? 陳勇臻陳治明' 西安理工大學(xué)電子工程系,西安710048, 摘要為了獲得具有乎鼙si面的SiC晶片,使用線切割和機(jī)械磨拋的方法對(duì)6H－SiC（000I）A錠進(jìn)行加工．采用SEM和AFM對(duì)加 工后獲得的SiC晶片樣品 ...

其他物理性能測(cè)試 19. 全自動(dòng)真密度分析測(cè)試儀 3H-2000 TD1（貝仕德） 各類多孔材料、發(fā)泡材料 測(cè)試參數(shù)：真密度、開(kāi)/閉孔率 溫度范圍：室溫 樣品尺寸：Φ15×（30mm-40mm）（塊體） 顆粒、不規(guī)則碎塊、 …,2020-1-18?·?華為、拓中股份共同投資山東天岳碳化硅第三代半導(dǎo)體。5G、特斯拉功率器件簡(jiǎn)介： 拓中集團(tuán)持有上海達(dá)甄資產(chǎn)88.57%股份,上海達(dá)甄資產(chǎn)持有遼寧中德產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基

2019-9-3?·?碳化硅單晶材料 碳化硅單晶材料主要有導(dǎo)通型襯底和半絕緣襯底兩種。高質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術(shù)發(fā)展首要解決的問(wèn)題,持續(xù)增大晶圓尺寸、降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）是其發(fā)展方向。,阿里巴巴碳化硅陶瓷油杯 碳化硅小坩堝 可定制 支持打樣,電子陶瓷材料,這里云集了眾多的供應(yīng)商,采購(gòu)商,制造商。這是碳化硅陶瓷油杯 碳化硅小坩堝 可定制 支持打樣的詳細(xì)頁(yè)面。

2018-12-18?·?碳化硅二極管為什么比普通二極管性能好？,feiwithout,首先是因?yàn)樘蓟瓒O管采用的是肖特基結(jié)構(gòu),另外采用的是碳化硅材料,該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,材料本身的性能優(yōu)于硅材料。,卡戎0529,通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是近比較熱門(mén)的碳化硅二極管是用 ...,2020-1-16?·?碳化硅存在著約250種結(jié)晶形態(tài)。[24] 由于碳化硅擁有一系列相似晶體結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體使得碳化硅具有同質(zhì)多晶的特點(diǎn)。 這些多形體的晶體結(jié)構(gòu)可被視為將特定幾種二維結(jié)構(gòu)以不同順序?qū)訝疃逊e后得到的,因此這些多形體具有相同的化學(xué)組成和相同的二維結(jié)構(gòu),但它們的三維結(jié)構(gòu)不同。

2019-9-24?·?目前,國(guó)內(nèi)有幾所大學(xué)可以制造器件樣品,有部分公司可以量產(chǎn)二極管,但僅有基本半導(dǎo)體可量產(chǎn)碳化硅MOSFET,基本半導(dǎo)體未來(lái)將繼續(xù)加大研發(fā)投入,加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新,致力于鑄造第三代半導(dǎo)體碳化硅的中國(guó)"芯"。,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司成立于2005年,專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體電子元器件及IC。主營(yíng)：MOSFET、場(chǎng)效應(yīng)管、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管、高、低壓mos管系類等產(chǎn)品銷售公司。

開(kāi)關(guān)時(shí)的差動(dòng)放大電流原則上是沒(méi)有的,所以可以高速運(yùn)作,開(kāi)關(guān)損失降低。 小尺寸芯片的導(dǎo)通電阻低,所以實(shí)現(xiàn)低容量?低門(mén)極消耗。 Si產(chǎn)品隨溫度的上升導(dǎo)通電阻上升2倍以上,SiC（碳化硅）的導(dǎo)通電阻上升小,可以實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。,預(yù)訂樣品 增強(qiáng)模式碳化硅MOSFET,1700 V,1 Ohm,N通道 額定電壓（V ）: 1700 導(dǎo)通電阻典型值（mOhm）: 750 額定電流（A）: 3.5 碳化硅出版物 碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的狀態(tài) 了解碳化硅技術(shù)對(duì)于電力電子行業(yè)的未來(lái)有何重要意義 ...

2020-3-8?·?河南燁達(dá)新材科技股份有限公司主要生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)黑剛玉,黑剛玉砂,微粉,柔性耐磨系列等產(chǎn)品,可免費(fèi)提供樣品,品質(zhì)保證.咨詢電話：0371-63125166.,2020-2-15?·?國(guó)內(nèi)主要碳化硅單晶襯底材料企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)已經(jīng)具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產(chǎn)品,并已經(jīng)研發(fā)出了6英寸單晶樣品,但是在晶體材料質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)化能力方面距離國(guó)際先進(jìn)水平存在一定差距。

2014-4-8?·?測(cè)試碳化硅中游離碳時(shí)使用管式爐模式,將管式爐設(shè)置到合適的溫度,稱取一定量的樣 品置于瓷舟中,點(diǎn)擊開(kāi)始進(jìn)行分析,然后將盛有樣品的瓷舟推入高溫區(qū)。 實(shí)驗(yàn)中使用鋼研納克的CS-3000G對(duì)碳化硅樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn),見(jiàn)表1。由表1可見(jiàn)碳化硅,2011-1-17?·?另外, 可以看到該樣品旋轉(zhuǎn)前后測(cè)得的圖譜中不同角度的 衍射峰的衍射強(qiáng)度差異很大, 部分衍射峰甚消失. 這可能是由于樣品中碳化硅顆粒粒徑太大導(dǎo)致在 有一部分SiC 衍射峰被檢測(cè)出, 并且在樣品旋轉(zhuǎn)前 后各衍射峰的強(qiáng)度差異很大.

2019-8-2?·?（1）大尺寸碳化硅單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。目前國(guó)際上碳化硅芯片的制造已經(jīng)從4英寸換代到6英寸,并已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了8英寸碳化硅單晶樣品,與先進(jìn)的硅功率半導(dǎo)體器件相比,單晶襯底的尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。,2010-9-2?·?比較了幾種碳化硅樣品后,他覺(jué)得孿晶納米線好。采用高壓同步X射線技術(shù)研究后,他發(fā)現(xiàn)碳化硅孿晶納米線的體積模量可達(dá)316GPa,比沒(méi)有孿晶的納米線高出20-40%。也是說(shuō),孿晶納米線更難以壓縮。這似乎與我們前面碳化硅納米線超塑性的結(jié)果矛盾。

2019-9-5?·?大尺寸碳化硅單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。目前國(guó)際上碳化硅芯片的制造已經(jīng)從4英寸換代到6英寸,并已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了8英寸碳化硅單晶樣品,與先進(jìn)的硅功率半導(dǎo)體器件相比,單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。,金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂 ...

2019-2-27?·?摘要：本文的目的是分析碳化硅 MOSFET 的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。 具體而言,該實(shí)驗(yàn)的是在不同條件下進(jìn)行專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。,2017-5-16?·?專業(yè)標(biāo)樣,標(biāo)準(zhǔn)煤樣,光譜標(biāo)樣,光譜標(biāo)準(zhǔn)樣品,標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),標(biāo)樣公司,我們致力于標(biāo)樣,光譜標(biāo)樣,光譜標(biāo)準(zhǔn)樣品,標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),鑄鐵標(biāo)樣等的研究與應(yīng)用,標(biāo)樣聯(lián)系電話：0531-88553711

2018-10-31?·?司）測(cè)試樣品比表面積；用紫外?可見(jiàn)分光光度計(jì) （日本島津UV-3600）測(cè)量了樣品紫外吸收光譜,并據(jù)此計(jì)算了樣品的禁帶寬度。2 結(jié)果與討論 2.1 硼添加量的影響 圖1是焙燒溫度為1 350 ℃、硼添加量不同的 摻雜碳化硅樣品的XRD圖譜。從圖1可以看到,2015-9-20?·?近日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委發(fā)布關(guān)于批準(zhǔn)發(fā)布《耐火材料用碳化 硅標(biāo)準(zhǔn)樣品》等48項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)樣品的公告?！赌突鸩牧?用碳化硅標(biāo)準(zhǔn)樣品》等48項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)樣品由質(zhì)檢總局與 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 化管理委員會(huì)聯(lián)合發(fā)布,具體名錄見(jiàn)附件。

2019-11-22?·?需要一個(gè)共摻雜或分別摻雜鋁、釩的碳化硅標(biāo)準(zhǔn)樣品,樣品尺寸約為10 mm×10 mm,且27Al+、51V+ 的體濃度經(jīng)過(guò)各方都認(rèn)同的其他測(cè)量方法測(cè)定,濃度在（1~10）×1018 atoms/cm3 范圍內(nèi),分布均勻性 在5％以內(nèi),保證標(biāo)準(zhǔn)樣品表面平坦光滑。 7.2 空白樣品,2018-5-28?·?致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅（SiC） MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 ...

點(diǎn)擊此處索取樣品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二極管具有可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)電流、高浪涌承受能力以及175 °C 的運(yùn)行結(jié)溫。對(duì)于需要提高效率、可靠性與熱管理的應(yīng)用而言,該二極管系列是理想選 …,2014-10-29?·?老師您好! 我公司想要出口陶瓷品的生產(chǎn)原料碳化硅,此物需要出口許可證,我司不是生產(chǎn)原材料的廠家,要從他司購(gòu)進(jìn)此原料再出口,請(qǐng)問(wèn)我司有資料申請(qǐng)辦理碳化硅的出口許可證嗎?另外,30KG的樣品出貨需要出口許可證？