的諧振器,測(cè)得其有效機(jī)電耦合系數(shù)為4.081%,回波損耗(S11)為 23:89 dB。這種SMR機(jī)械強(qiáng)度高、可靠性 高、尺寸小,具有可立體集成到CMOS芯片...薄膜體聲波諧振器及濾波器具有工作頻率高、工藝簡(jiǎn)單、尺寸小、易于集成等優(yōu)點(diǎn),成為目前應(yīng)用于高頻通信前置濾波器的。本文系統(tǒng)介紹了用于薄膜體聲波諧振器的幾種主要材料(A1N、ZnO、PZT)的具體特點(diǎn)、制備工藝及薄膜體聲波諧振器與濾波器的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)及其應(yīng)用。

BAW諧振器應(yīng)用了MEMS工藝,以便將石英晶體的工作機(jī)理擴(kuò)展到更高頻率。壓電層的典型厚度在幾個(gè)微米或更低。壓電層可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)...第2期 陳振雄等：基于FBAR 諧振器件的CMOS 振蕩電路特性比較 323 2017 年,Hassan 利用品質(zhì)因子為500 的固態(tài)裝配諧振器(Solidly Mounted Resonators,SMR)制作了一個(gè)相位噪聲 為-126.85 dBc/Hz@1 MHz、振蕩頻率為1.75 GHz的振蕩器[5]；2017 年,Arantxa利用品質(zhì)因子為1 200的聲表面

這種類型的BAW被稱為固態(tài)裝配諧振器（SMR）。 魯棒性而言,SMR比膜結(jié)構(gòu)的BAW要好很多。 在劃片和裝配所需的各種標(biāo)準(zhǔn)工序中,沒(méi)有機(jī)械損壞的風(fēng)險(xiǎn)...固態(tài)裝配型（SMR）BAW濾波器,它借用光學(xué)中的布拉格層技術(shù),在諧振器底電極下方制備高、低交替的聲阻抗層,從而將聲波限制在壓電堆之內(nèi)。 布拉格反射層一般采用W和SiO2作為高低聲學(xué)阻抗層,因?yàn)閃和SiO2之間的聲學(xué)阻抗值相差較大,而且這兩種材料都是標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝常用的材料。

通過(guò)建立固態(tài)裝配諧振器(SMR)模型,考慮硅襯底的聲學(xué)損耗,從壓電理論出發(fā),仿真分析了不同布喇格層數(shù)對(duì)SMR的諧...這種類型的 BAW 被稱為固態(tài)裝配諧振器（SMR）。 魯棒性 而言, SMR 比膜結(jié)構(gòu)的 BAW 要好很多。 在劃片和裝配所需的各種標(biāo)準(zhǔn)工序中, 沒(méi)有機(jī)械損壞的風(fēng)險(xiǎn)。 壓電層和電極層上受到的層壓力也不會(huì)造成問(wèn)題。 對(duì)需要有很大功率承受能力的 BAW ...

這種類型的BAW被稱為固態(tài)裝配諧振器（SMR）。 魯棒性而言,SMR比膜結(jié)構(gòu)的BAW要好很多。在劃片和裝配所需...它們都是由介質(zhì)諧振器制成的,因此,歸根到底,微波電路的全集成化,極大地依賴于微波介質(zhì)諧振器材料的開發(fā)。 微波是指從300MHz到3OGHz之間的頻段。 劃分為UHF,L,S,X,Ku等波段,相應(yīng)于0.3～1、1～2、3～4、4～8、8～12GHz直到毫米波。

壓電諧振器的阻抗-頻率響應(yīng)特性中有兩個(gè)十分重要的頻率點(diǎn),即串聯(lián) 諧振頻率fs和并聯(lián)諧振頻率fp。當(dāng)壓電諧振器處于串聯(lián)諧振頻率f,時(shí)諧...該種之卜,免除了CMP丁藝步驟,極L人地提高 類型的FBAR又被稱為固態(tài)裝配諧振器（sMR）。其nJ。行性。 其典型的制備流程為在清洗十凈的硅襯底 L｛－通常情況下高、低聲阻抗材料為w和 Si02兩種．卜依次生長(zhǎng)犧牲材料膜層、支撐膜 ...

基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器：體聲波濾波器BAW - 全文-體聲波（BAW）和薄膜腔聲諧振器（FBAR）濾波器被分別用來(lái)替代移動(dòng)電話中的傳統(tǒng)射頻...【摘要】：通過(guò)建立固態(tài)裝配諧振器(SMR)模型,考慮硅襯底的聲學(xué)損耗,從壓電理論出發(fā),仿真分析了不同布喇格層數(shù)對(duì)SMR的諧振性能的影響。仿真結(jié)果表明,由于布喇格層對(duì)聲波的有效反射,減少了聲能在襯底的損耗和襯底造成的雜散諧振,使SMR的品質(zhì)因數(shù)得到很大提高;用Si3N4和SiO2作為布喇格層材料,要 ...

體聲波（BAW）和薄膜腔聲諧振器（FBAR）濾波器被分別用來(lái)替代移動(dòng)電話中的傳統(tǒng)射頻濾波器,因?yàn)槟壳捌湫阅芤殉^(guò)表面...圖1.2（c）為固態(tài)裝配型（SMR）諧振器。這種器件結(jié)構(gòu)采用布拉格反射層將聲 波限制在壓電振蕩堆之內(nèi),布拉格反射層采用高低阻抗交替的聲學(xué)層。聲波在在反射 層中兩種不同阻抗的聲學(xué)層界面上發(fā)生多次反射,形成駐波。

薄膜體聲波濾波器的材料、設(shè)計(jì)及應(yīng)用詳細(xì)解析-隨著現(xiàn)代無(wú)線通信技術(shù)向高頻、高速方向的發(fā)展,人們對(duì)高頻通信常用的前置濾波器提出了...這種類型的 BAW 被稱為固態(tài)裝配諧振器 （SMR）。魯棒性而言,SMR 比膜結(jié)構(gòu)的 BAW 要好很多。在劃片和裝配 所需的各種標(biāo)準(zhǔn)工序中,沒(méi)有機(jī)械損壞的風(fēng)險(xiǎn)。壓電層和電極層上受到的層 壓力也不會(huì)造成問(wèn) …

其中一種類型的BAW諧振器是固態(tài)裝配型諧振器(solidly mounted resonator,SMR)。SMR使用布拉格聲學(xué)反射器反射聲波。用低聲學(xué)...il 十低、高聲阻抗膜層分別交替堆疊的結(jié)構(gòu)卜,該種 類型的FBAR又被稱為固態(tài)裝配諧振器（sMR）。其 L｛－通常情況下高、低聲阻抗材料為w和Si02兩種 膜層,它們的聲同i抗分別為lO．56107kg／m！ S和 l_25107kg／m2S。 在SMR的 ...

通過(guò)建立固態(tài)裝配諧振器（SMR）模型,考慮硅襯底的聲學(xué)損耗,從壓電理論出發(fā),仿真分析了不同布喇格層數(shù)對(duì)SMR的諧振...其他類型的 BAW 濾波器包括 FBAR（薄膜體聲波諧振器）和 BAW-SMR（固態(tài)裝配諧振器 BAW）設(shè)備,其中包括能夠很好地捕獲聲波并產(chǎn)生高聲能的附加微結(jié)構(gòu)——因而在微波頻率和相同尺寸的條件下,此類濾波器的 Q 值要高于任何其他的濾波器。

固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進(jìn)展 劉 罡, 朱嘉琦, 賽, 陸曉欣, 劉遠(yuǎn)鵬, 霍施宇, 袁欣薇 (哈爾濱工業(yè)大學(xué) 復(fù)合材料與結(jié)構(gòu)研究所, 哈爾...1965 年由 Newell 制備出固態(tài) 裝配型諧振器[13],緊接著在 1967 年 Sliker 等又研制出基于 CdS 薄膜的諧振器 [14], 1980 年 Lakin 和 Wang 實(shí)現(xiàn)了在 Si 襯底上制備諧振頻率達(dá)到 500MHz 的基 于 ZnO 薄膜的諧振器[15],在此之后的 1990 年,Krishnaswamy

其他類型的BAW濾波器包括FBAR（薄膜體聲波諧振器）和BAW-SMR（固態(tài)裝配諧振器BAW）設(shè)備,其中包括能夠很好地捕獲聲波并產(chǎn)生高聲能的附加微結(jié)構(gòu)...過(guò)去幾年中,隨著射頻集成電路技術(shù)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)展,移動(dòng)電話中射頻部分的很多分立器件已被替換。為明顯的是接收機(jī)中分立的低噪聲放大器（LNA）和中頻（IF）濾波器已經(jīng)被集成到射頻集成電路中?？梢灶A(yù)期各射頻模塊將逐步被集成到標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS或CMOS集成電路中,但還是有幾類射 …

在固態(tài)裝配型諧振器（SMR）方面,論文采用上述模型分析了四分之一波長(zhǎng)布拉格反射柵對(duì)其諧振特性的影響,得到了S...